近日，媒体报说念称，台积电运筹帷幄在1.6nm芯片工艺时，不断使用当今范例的EUV光刻机，也等于数值孔径=0.33NA的光刻机，而不是最新的High NA EUV。

台积电说是因为其太贵了，一台要3.5亿欧元，接近30亿东说念主民币，不合算。

另外，也因为ASML的这种High NA EUV产量有限，一年才几台，或10来台傍边，仍是被intel预订了大部分产能，台积电也暂时抢不到货。

是以台积电基于价钱、产能等，决定不断在范例EUV光刻机上，汲取多重曝光时间，制造1.6nm芯片，台积电说，并不是唯有High NA EUV才气参预2nm以下，范例EUV也行的。

虽然，台积电也莫得将话说死，也并不是说不一定无谓这种High NA EUV，要看具体怀况，要看公司能获得的最好经济与时间均衡而定。

事实上，台积电的傍边为难，亦然ASML现时的憎恨处境，那等于EUV光刻机更新换代越来越贵，一般的客户根底用不起。

以致因为量产本钱太高，EUV光刻机，从High NA EUV之后，可能就莫得下一代了，这可能是临了一代了。

High NA EUV对应之前的范例EUV，有几大改良，一是NA也等于数值孔径从0.33形成了0.55，数值孔径越大，参预的清朗越多，功率越高，那么分裂率就越高。

是以范例EUV光刻机形容的半间距是13.5nm，而High NA EUV不错达到8nm。

另外功率方面，从1.5兆瓦，晋升到2兆瓦，后果也更高了，从底本的每小时200片12寸晶圆，形成了400-500片晶圆。

在ASML之前的时间演进中，High NA EUV之后，等于Hyper NA EUV，这种EUV光刻机功率更大，NA达到0.75，分裂率更高，速率更快，后果也更高。

不外关于这种NA=0.75的光刻机，ASML也示意，因为其量产难度相配大，表面上可能存在，但本色上也许量产不了，就算量产了，本钱也太贵，本色用于商用，可能很难，莫得什么晶圆厂会买单。

看到这里，巨匠简略显著了，High NA EUV之后，不断按照EUV光刻机的路去走，仍是走欠亨了，因为EUV光刻机简略果然莫得下一代了。

而这些年，ASML不断的研发新光刻机，每次新光刻机降生，王人能鼓舞芯片工艺的逾越，不错说光刻机等于扫数芯片工艺术前进的火车头。一朝ASML莫得更先进的光刻机了，工艺差未几也就停步了，关于晶圆厂，关于扫数芯片产业而言，王人是一个不好音书，那等于芯片工艺简略也无法前进了。

那么扫数芯片产业，王人将堕入憎恨场面，难说念巨匠王人停步不前？等ASML的新一代光刻机？简略到这个时辰，换说念，换地点会是ASML或扫数芯片产业的地点。

虽然，这关于中国芯而言，亦然一件好音书，毕竟跑在前边的被墙挡住了，只可在原地等，咱们跟在背面的，服气很快也就能够追上了，你合计呢？